在OLED制造中有三個(gè)比較重要的制程，文中通過(guò)相關(guān)資料整理，收集了些這三個(gè)制程的精華介紹，以供大家了解參考。
ITO基板前處理制程制造有機(jī)EL顯示面板所采用的Indium-tin-oxide (ITO) 透明導(dǎo)電玻璃基板，通常厚度為0.7mm或1.1mm的鈉堿玻璃 (soda lime)，在約150mm的ITO導(dǎo)電薄膜及鈉堿玻璃基板之間鍍上約數(shù)十微米的SiO2薄膜，以阻絕鈉堿玻璃內(nèi)金屬離子游移的干擾，而ITO薄膜的導(dǎo)電特性則界定在其面電阻 (sheet resistance) 約10Ω/□。在進(jìn)入面板制造流程前ITO基板的洗凈，則透過(guò)濕式及干式的清洗制程達(dá)到高潔凈度的ITO表面，在濕式清洗過(guò)程反復(fù)地以中性洗劑及純水超音波清洗后，再搭配有機(jī)溶劑以快速地干燥ITO基板，經(jīng)過(guò)干燥的ITO基板表面仍有些許的有機(jī)物殘留，會(huì)影響ITO電極的正電荷 (hole) 注入效率，UV-O3的處理可以將ITO基板上殘留有機(jī)物除去，而存在ITO表面的缺陷可利用RF-O2電漿的表面改質(zhì)處理，以降低正電荷注入的能階障壁，因此，UV-O3及RF-O2電漿的干式處理，能有效地降低有機(jī)EL組件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電壓，也廣泛地應(yīng)用在量產(chǎn)的制程中。
多層鍍膜制程
Mask及ITO基板的對(duì)位：由于有機(jī)材料及其薄膜對(duì)濕式制程及溫度的敏感性，使得一般常用于半導(dǎo)體晶圓制造上的微影蝕刻技術(shù)，無(wú)法被應(yīng)用于有機(jī)EL面板制程中細(xì)微化的加工。因此，機(jī)械式的Mask對(duì)位技術(shù)于精細(xì)的有機(jī)成膜上更顯重要，一般超薄的mask制造皆利用濕式蝕刻方式，加工的精度及Mask成形后的機(jī)械強(qiáng)度將受到一定的限制，在制造過(guò)程中，Mask的熱澎脹影響及與基板的貼合性，亦會(huì)對(duì)Mask及ITO基板的對(duì)位精度造成影響。目前應(yīng)用于單色被動(dòng)式顯示面板制造上 (畫素線寬 > 0.3mm)，以Pin的機(jī)械對(duì)位方式，基本上其精度及Mask的質(zhì)量皆能滿足量產(chǎn)制造的需求。但是，對(duì)于全彩面板制造所需的高精度Mask及對(duì)位方式 (畫素線寬 < 0.1mm)，在制作技術(shù)上則是相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，一般采用的CCD影像對(duì)位方式其精度可達(dá)5微米的范圍，惟大面積及高精度的超薄Mask的制造，仍是制造技術(shù)及全彩面板量產(chǎn)上的瓶頸。
Mask的交換機(jī)構(gòu)：量產(chǎn)生產(chǎn)時(shí)，有機(jī)蒸鍍成膜所使用的Mask，因長(zhǎng)時(shí)間使用中有機(jī)物的累積，造成Mask精度的降低，為達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)的目的，在真空系統(tǒng)及制造流程中Mask的儲(chǔ)存及交換方法將必須要細(xì)心思考及規(guī)畫。
有機(jī)鍍膜的蒸發(fā)源：在有機(jī)成膜的制程中，如何穩(wěn)定地控制蒸鍍速度及維持長(zhǎng)時(shí)間的連續(xù)蒸鍍，是量產(chǎn)設(shè)備上蒸鍍?cè)丛O(shè)計(jì)的重要課題。為了生產(chǎn)時(shí)控制Tact Time的考慮，一般蒸鍍?cè)吹牟僮鞣绞浇圆捎谜诎蹇刂频姆绞?，蒸鍍?cè)匆恢本S持在設(shè)定的加熱溫度，當(dāng)基板移入至指定位置時(shí)，再打開(kāi)蒸鍍?cè)粗诎逡赃M(jìn)行成膜。當(dāng)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，在真空蒸鍍系統(tǒng)中儲(chǔ)存大量的有機(jī)材料，以維持蒸鍍?cè)吹倪\(yùn)轉(zhuǎn)或使用自動(dòng)充填的機(jī)構(gòu)，同樣的設(shè)計(jì)思考也必須應(yīng)用于金屬電極成膜的制程。而控制蒸鍍速度所使用的水晶式膜厚監(jiān)測(cè)方式，在連續(xù)量產(chǎn)過(guò)程中，為維持量測(cè)的精準(zhǔn)度，水芯片自動(dòng)交換的機(jī)構(gòu)也是必要的。
金屬電極的蒸鍍?cè)矗航饘俨牧系恼翦兓旧嫌袃煞N方式，一種是阻抗式加熱源方式，另一種是電子槍(EB)蒸鍍法，以上方法皆必須要搭配以自動(dòng)填充的機(jī)構(gòu)進(jìn)行連續(xù)蒸鍍。而電子槍蒸鍍較適用于快速且大量蒸鍍的制程，但是，伴隨電子槍所產(chǎn)生的二次電子，將對(duì)有機(jī)材料造成不良的影響，因此，使用電子槍時(shí)對(duì)于亦應(yīng)考慮如何避免二次電子的副作用。對(duì)此問(wèn)題日本設(shè)備商TOKKI提出了它們研究的結(jié)果，證明經(jīng)由適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)可以有效地去除二次電子的傷害。將一金屬板貼近蒸鍍基板，并施加一正電位以吸引基板附近游移的電子并量測(cè)金屬板上所收集的電流，由電流量的大小可驗(yàn)證基板附近的二次電子密度，當(dāng)蒸度速度增加時(shí) (電子槍功率增大)，未經(jīng)適當(dāng)保護(hù)設(shè)計(jì)的基板上可以明顯看出順向電子流的增加，表示由電子槍產(chǎn)生之電子束撞擊蒸發(fā)粒子后而激發(fā)出之二次電子的密度，這些二次電子的能量經(jīng)測(cè)定后高達(dá)10eV左右，相反地，經(jīng)適當(dāng)保護(hù)設(shè)計(jì)的基板上則沒(méi)有二次電子的產(chǎn)生。
保護(hù)膜：金屬陰極成膜之后，鍍上絕緣性保護(hù)膜以防止水氣的侵入，亦是有機(jī)EL量產(chǎn)制程上全力開(kāi)發(fā)的重要制程，以現(xiàn)有的薄膜技術(shù)應(yīng)用于有機(jī)EL制程上，尚不足以完全隔絕水氣的侵入，必須搭配貼有吸水劑之外部金屬或玻璃封蓋，以降低水氣侵入的速度達(dá)到延長(zhǎng)組件壽命的效果。
封裝制程
以Pioneer和NEC的封裝方法，是以金屬封蓋貼附強(qiáng)力吸水劑后，透過(guò)低透濕性UV樹脂再和顯示基板做緊密貼合，達(dá)到減緩水氣侵入的效果。在封裝腔體中，是以一布滿金屬封蓋的托盤和ITO基板進(jìn)行對(duì)位貼合，其完成照光貼合的時(shí)間必須和前段鍍膜制程搭配，以滿足Tact Time的要求。而維持封裝腔體內(nèi)部的低濕度環(huán)境，對(duì)產(chǎn)品的壽命相當(dāng)重要，一般必須維持在-70°C的露點(diǎn)。至于阻止水氣侵入的接合樹脂的特性亦不可忽視，接合樹脂為滿足低溫、短時(shí)間硬化的量產(chǎn)生產(chǎn)條件，大部份皆采用低透濕性的UV環(huán)氧樹脂，同時(shí)一般接合樹脂多少都會(huì)釋放出少量的有機(jī)物及水分，為避免其影響組件長(zhǎng)期的壽命，在封蓋內(nèi)部貼附吸水劑是有其必要性。
